Лабораторные работы по электронике Исследование полевых транзисторов Исследование биполярных транзисторов Полупроводниковые выпрямители Электронный усилитель на транзисторах Исследование варикапов

Схемы исследования

 Схема исследования статических характеристик биполярного транзистора типа n-p-n, включенного по схеме «ОБ», представлена на рис. 2.14, а по схеме «ОЭ» - на рис. 2.15. Каждая из этих схем собирается поочередно в левом нижнем квадранте монтажного шасси с использованием комплекта соединительных проводов.

Напряжения питания подаются с гнезд источников стабилизированных напряжений: Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляются с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.

Порядок выполнения работы

3.1. На тестере ММ-1 установить переключатель РРП в положение (0С). Включить тестер ММ-1 нажатием красной кнопки (on/off). Определить температуру окружающей среды Токр. ср., считав показания тестера, и полученный результат занести во все ниже следующие таблицы. Выключить тестер ММ-1 нажатием красной кнопки (on/off).

3.2. Собрать схему, представленную на рис. 2.14. Установить переключатель РРП каждого тестера в сектор «А» или «V» на соответствующий предел измерений, который указан на схеме (рис. 2.14). Убедиться, что регулировки R9 и R10 источников питания Е1 и Е2 находятся в крайнем левом положении, а переключатель П4, расположенный на монтажном шасси, - в положении «ОБ». Предъявить собранную схему преподавателю для проверки.

3.3. Исследовать семейство статических входных характеристик биполярного транзистора (БПТ), включенного по схеме с общей базой, т.е. семейство вида IЭ=f(UЭБ) при UКБ=const. Измерения проводить для трех фиксированных значений UКБ= 0; 4; 8 В.

Включить тестеры ММ-1 – ММ-4 нажатием кнопок “on/off” и источники питания Е1 и Е2 нажатием кнопки “POWER”. С помощью R10 и тестера ММ-4 установить UКБ=0 В. Далее, с помощью R9 и тестера ММ-2 устанавливать значения тока IЭ от 0 до 30 mA c шагом 5 mA. При каждом значение тока IЭ с помощью R10 и тестера ММ-4 корректировать значение напряжения UКБ=0 В. После этого с табло тестера ММ-1 снять значение напряжения UЭБ, а с табло тестера ММ-3 – значение тока коллектора IК. Отметить значения UЭБ и IК при токе эмиттера IЭ= 0,2 mA. Полученные результаты занести в таблицу 2.1.

Установить R9 в крайнее левое положение. Повторить измерения для UКБ=4 В и UКБ=8 В. Полученные результаты занести в таблицу 2.1.

Таблица 2.1.

Токр.ср.

(0С)

Тип

транзистора

UКБ

(В)

(mA)

0

0,2

5

10

15

30

КТ602А

0

UЭБ , B

IК , mA

4

UЭБ , B

IК , mA

8

UЭБ , B

IК , mA

3.4. Исследовать семейство статических выходных характеристик БПТ, включенного по схеме с общей базой, т.е. семейство вида IК=f(UКБ) при IЭ=const. Измерения проводить для пяти фиксированных  значений IЭ = 5; 10; 15; 20; 25 mA.

С помощью R9 и тестера ММ-2 установить IЭ=5 mA. Далее, с помощью R10 и тестера ММ-4 изменять напряжение UКБ от 0 до 8В c шагом 1 В. При каждом значение напряжения UКБ с помощью тестера ММ-3 определять величину тока коллектора IК. Полученные результаты занести в таблицу 2.2.

Установить R10 в крайнее левое положение. Повторить измерения для остальных фиксированных значений тока эмиттера IЭ=10; 15; 20; 25 mA. Полученные результаты занести в таблицу 2.2.

Таблица 2.2.

Токр.ср.

(0С)

Тип

транзистора

(mA)

UКБ

(В)

0

1

2

3

4

8

КТ602А

5

IК, mA

10

IК, mA

15

IК, mA

20

IК, mA

25

IК, mA

Выключить источники питания Е1 и Е2 нажатием кнопки “POWER”.

3.5. Собрать схему, представленную на рис. 2.15. Для этого достаточно: установить переключатель П4, расположенный на монтажном шасси, в положение «ОЭ», а переключатель РРП тестера ММ-2 – в положение 20 mA. Предъявить собранную схему преподавателю для проверки.

3.6. Исследовать семейство статических входных характеристик БПТ, включенного по схеме с общим эмиттером, т.е. семейство вида IБ=f(UБЭ) при UКЭ=const. Измерения проводить для трех фиксированных значений UКЭ= 0; 4; 8 В.

Включить источники питания Е1 и Е2 нажатием кнопки “POWER”. С помощью R10 и тестера ММ-4 установить UКЭ=0 В. Далее, с помощью R9 и тестера ММ-2 устанавливать значения тока базы IБ от 0 до 0,8 mA c шагом 0,1 mA. При каждом значении тока IБ с табло тестера ММ-1 снять значение напряжения UБЭ, а с табло тестера ММ-3 – значение тока коллектора IК. Отметить значения UБЭ и IК при токе базы IБ=0,01 mA. Полученные результаты занести в таблицу 2.3.

В процессе измерений следить за величиной тока коллектора IК. Если IК превышает 30 mA, то измерения прекратить.

Установить R9 в крайнее левое положение. Повторить измерения для UКЭ=4 В и UКЭ=8 В. Полученные результаты занести в таблицу 2.3.

Таблица 2.3.

Токр.ср.

(0С)

Тип

транзистора

UКЭ

(В)

(mA)

0

0,01

0,1

0,2

0,3

0,8

КТ602А

0

UБЭ , B

IК , mA

4

UБЭ , B

IК , mA

8

UБЭ , B

IК , mA

За последний период развития в области связи, наибольшее распространение получили оптические кабели (ОК) и волоконно-оптические системы передачи (ВОСП) которые по своим характеристикам намного превосходят все традиционные кабели системы связи. Связь по волоконно-оптическим кабелям, является одним из главных направлений научно-технического прогресса. Оптические системы и кабели используются не только для организации телефонной городской и междугородней связи, но и для кабельного телевидения, видеотелефонирования, радиовещания, вычислительной техники, технологической связи и т.д.
Методические указания к выполнению лабораторных работ по электронике